GTO（门极可关断晶闸管）：具有较大的电压和电流容量，适用于大功率应用场景。其特点包括电导调制效应，强大的通流能力，但电流关断增益较小。在关断时，需要较大的门极负脉冲电流，开关速度相对较低，因此驱动功率较大，驱动电路也更为复杂。此外，GTO的开关频率较低。
其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。
如果在阳极加正向电压时，门极加上正向触发电流，GTO就导通。在导通的情况下，门极加上足够大的反向触发脉冲电流，GTO就由导通转为阻断。
GT是 GREAT TOURING，指的是高性能车，比如说CARRERA GT GT1是FIA的一个比赛GT赛最高的一个级别，参赛的车辆没有任何限制，比如说PORSCHE 911 GT1， CLK-GTR GTI 意大利语Gran Turi o Injektion 电喷车 GTO意大利语Gran Turi o Omologato，来自FERRARI一款著名的250GTO，现在厂商都以GTO代表经典车型。
而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。
这个只能比较大多数情况， IGBT因为有拖尾现象所以一般频率不如MOS管，超过100KHz就算很高了，而VMOS就可以更高。 SCR频率就低了一般也就几百Hz，GTO比SCR高不了多少，GTR稍高可到几K最多几十K。
IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂。
- IGBT：具有 MOSFET 和 BJT 的特性，适用于中高功率应用，常用于逆变器和电机驱动。 GTO（Gate Turn-Off Thyristor）：- 类型：GTO 是一种双向可控硅器件。- 特点：可以通过在控制极（Gate）上施加适当的脉冲来关闭器件。这与传统的晶闸管（Thyristor）不同，后者一旦导通就无法关闭。
MOSFET（电力场效应晶体管）：驱动电路相对简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高。其热稳定性优于GTR，但电流容量较小。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）：结合了GTR和MOSFET的优点，同样具有电导调制效应和强大的通流能力。然而，其开关速度较慢，所需驱动功率较大，驱动电路也较为复杂。
IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。
这个只能比较大多数情况， IGBT因为有拖尾现象所以一般频率不如MOS管，超过100KHz就算很高了，而VMOS就可以更高。 SCR频率就低了一般也就几百Hz，GTO比SCR高不了多少，GTR稍高可到几K最多几十K。
电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。
IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂。
IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。
IGBT成为绝缘栅型场效应管 GTO 门极可关断晶闸管 GTR 巨型晶闸管 MOSFET 如果你采用的是王兆安的第五版的 那么书上的结论如下：GTO的驱动电路：分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种，直接耦合应用范围广，但是功耗大，效率低。
可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。
GTO的门极、阴极加适当负脉冲时，可关断导通着的GTO阳极电流。可关断晶闸管是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件。
GTO是可关断晶闸管，从它的电路符号可以看出它与晶闸管有一定的相似之处。
GTO（门极可关断晶闸管）：具有较大的电压和电流容量，适用于大功率应用场景。其特点包括电导调制效应，强大的通流能力，但电流关断增益较小。在关断时，需要较大的门极负脉冲电流，开关速度相对较低，因此驱动功率较大，驱动电路也更为复杂。此外，GTO的开关频率较低。
但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO 半控型器件，如我们熟知的晶闸管，这类器件只能在控制信号的作用下进行单向导通。 全控型器件包括GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），以及MOSFET（电力场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极晶体管），这类器件的控制更为精细，能实现更为精确的开关控制。
